Специалисты Winbond разработали микросхему флеш-памяти SPI NOR плотностью 512 Мбит, рассчитанную на напряжение питания 1,8 В

Специалисты Winbond разработали микросхему флеш-памяти SPI NOR плотностью 512 Мбит, рассчитанную на напряжение питания 1,8 В
Поделись

Компания Winbond Electronics объявила о расширении ассортимента микросхем флеш-памяти типа NOR с интерфейсом SPI добавлением однокристальной модели плотностью 512 Мбит, рассчитанной на напряжение питания 1,8 В. Новая микросхема поддерживает стандартную, удвоенную и учетверённую частоту синхронизации до 166 МГц. Совместимость на уровне выводов с микросхемами меньшей плотности позволяет легко увеличить объём флеш-памяти, не меняя конструкцию электронного устройства. Это позволяет модернизировать выпускаемые изделия с минимальными затратами времени и усилий на перепроектирование, а также использовать единую платформу для нескольких разновидностей устройств.

Поддержка SDR на частоте 166 МГц и DDR на частоте 80 МГц обеспечивает высокую скорость чтения, позволяя получить высокую производительность при выполнении программы прямо во флеш-памяти (XIP или eXecute In Place) и моментальное включение (Instant-on) с QPI. Микросхемы W25Q512NW можно объединять в стеки по 1 Гбит и 2 Гбит, что даёт разработчикам больше гибкости для увеличения плотности до 2 Гбит и более поддерживать операции чтения во время записи. Например, стек из двух микросхем, поддерживая операцию чтения во время записи, позволяет выполнить обновления OTA без приостановки операций чтения и без риска потери существующего образа прошивки в случае неожиданного отключения питания.

К областям применения новой памяти отнесены модемы 5G, средства периферийных вычислений для 5G, облачные серверы, оптоволоконные модемы и устройства интернета вещей.

admin

Читайте также x